1N4150 TR
Номер детали производителя | 1N4150 TR |
---|---|
производитель | Central Semiconductor |
Подробное описание | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 |
Упаковка | DO-35 |
В наличии | 832075 pcs |
Техническая спецификация | 1N3600, 1N4150 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.213 | $0.149 | $0.098 | $0.058 | $0.044 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Central Semiconductor.У нас есть кусочки 832075 Central Semiconductor 1N4150 TR в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1V @ 200mA |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 50V |
Поставщик Упаковка устройства | DO-35 |
скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 6ns |
упаковка | Cut Tape (CT) |
Упаковка / | DO-204AH, DO-35, Axial |
Другие названия | 1N4150 CT 1N4150 CT-ND 1N4150CSCT |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 200°C |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 21 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Диод Тип | Standard |
Подробное описание | Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35 |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 100nA @ 50V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 200mA |
Емкостной @ В.Р., F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
Рекомендуемые продукты
-
1N4150-1/TR
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35Microchip Technology -
1N4150
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35NTE Electronics, Inc -
1N4150TR
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35onsemi -
1N4150/TR
DIODE GP REV 50V 200MA DO35Microchip Technology -
1N4150 TR PBFREE
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35Central Semiconductor Corp -
1N4149_T50R
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35onsemi -
1N4150-1
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35Microchip Technology -
1N4150TR_S00Z
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35onsemi -
1N4150UBCA
DIODE GEN PURP 50V 200MA UBCMicrochip Technology -
1N4149
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35onsemi -
1N4149TR
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35onsemi -
1N4150TR
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35Fairchild Semiconductor -
1N4150
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35Microchip Technology -
1N4149
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35NTE Electronics, Inc -
1N4150
DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35Diotec Semiconductor -
1N4149-1
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35Microchip Technology -
1N4149
HIGH CONDUCTANCE FAST DIODEFairchild Semiconductor -
1N4150TR
DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35Vishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N4150TAP
DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35Vishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N4150
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35onsemi